一種碳化硅功率肖特基二極管
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202021940685.5 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN212725324U | 公開（公告）日 | 2021-03-16 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN212725324U | 申請(qǐng)公布日 | 2021-03-16 |
| 分類號(hào) | H01L29/872(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/47(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 楊勇 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 深圳市美浦森半導(dǎo)體有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 中山市科企聯(lián)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 楊立銘 |
| 地址 | 518000廣東省深圳市南山區(qū)招商街道水灣社區(qū)太子路22號(hào)金融中心大廈1601 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本實(shí)用新型提供的一種碳化硅功率肖特基二極管，包括依次設(shè)置的背面金屬、碳化硅n+襯底、n?外延漂移區(qū)和底部金屬，所述n?外延漂移區(qū)和所述底部金屬相對(duì)的一面設(shè)有若干個(gè)溝槽，每兩個(gè)相鄰的溝槽間設(shè)有第一接觸孔，每個(gè)所述溝槽的底部設(shè)有第二接觸孔，所述溝槽的底部覆蓋有正面金屬，所述溝槽的側(cè)壁設(shè)有柵氧化層，所述底部金屬和所述n?外延漂移區(qū)相對(duì)的一面設(shè)有與所述溝槽數(shù)量相等的凸起，所述凸起與所述溝槽相配合的結(jié)構(gòu)。在正向小信號(hào)時(shí)低勢壘結(jié)能提供低的正向壓降，大信號(hào)時(shí)溝槽內(nèi)高勢壘肖特基結(jié)導(dǎo)通，可以提供良好的大電流導(dǎo)通特性和抗浪涌能力；反向時(shí)，溝槽間低勢壘肖特基電流通道被橫向MOS勢壘夾斷，避免了低勢壘肖特基結(jié)的低壓擊穿。?? |
