Flash模擬電路及其操作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110540646.9 申請日 -
公開（公告）號 CN113326185A 公開（公告）日 2021-08-31
申請公布號 CN113326185A 申請公布日 2021-08-31
分類號 G06F11/36（2006.01）I;G06F13/16（2006.01）I 分類 計算；推算；計數(shù);
發(fā)明人 孫向向;江國范 申請（專利權(quán)）人 青芯半導(dǎo)體科技（上海）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海智晟知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 張東梅
地址 200120上海市浦東新區(qū)自由貿(mào)易試驗區(qū)祖沖之路2305號B幢608室（房產(chǎn)登記證為5層）
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種Flash模擬電路及其操作方法，包括：Flash控制邏輯單元，被配置為將片內(nèi)Flash操作命令提供至片內(nèi)Flash模擬單元；片內(nèi)Flash模擬單元，被配置為等效替代片內(nèi)Flash，根據(jù)片內(nèi)Flash操作命令，將BLOCK RAM模塊作為片內(nèi)Flash，通過控制邏輯對BLOCK RAM模塊進(jìn)行模擬行為，得到片內(nèi)Flash行為模擬效應(yīng)，以及將片內(nèi)Flash行為模擬效應(yīng)提供至Flash控制邏輯單元。