磁控液體陰極電弧等離子體蒸發(fā)離化源、鍍膜裝置及方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011492839.3 申請日 -
公開（公告）號 CN112708858A 公開（公告）日 2021-04-27
申請公布號 CN112708858A 申請公布日 2021-04-27
分類號 C23C14/32;C23C14/24;C23C14/54 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 王殿儒;田玉波;陳慶振;高軍政;王百湘;田源 申請（專利權(quán)）人 唐山中土科技發(fā)展有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京安度修典專利代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 楊方成
地址 100086 北京市海淀區(qū)北三環(huán)西路48號三號樓3B
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種磁控液體陰極電弧等離子體蒸發(fā)離化源，包括：金屬陽極，配置為與電源正極相連；可消耗的金屬陰極，配置為與所述電源負(fù)極相連，以在所述電源接通后熔化所述金屬陰極的工作表面形成液態(tài)蒸發(fā)面后產(chǎn)生等離子體；冷卻容器，所述金屬陰極容置于所述冷卻容器內(nèi)；磁場生成機(jī)構(gòu)，配置為環(huán)繞所述金屬陰極的液態(tài)蒸發(fā)面形成磁場，以作用所述等離子體。該離化源避免現(xiàn)有技術(shù)的直接通過電弧形成弧斑形成等離子體時(shí)出現(xiàn)攜帶液滴的現(xiàn)象，極大提高鍍膜質(zhì)量和膜層使用壽命。