一種鈀薄膜氫氣傳感器

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011581593.7 申請日 -
公開（公告）號 CN112763660A 公開（公告）日 2021-05-07
申請公布號 CN112763660A 申請公布日 2021-05-07
分類號 G01N33/00(2006.01)I;G01R31/12(2006.01)I 分類 -
發(fā)明人 沈方平 申請（專利權(quán)）人 蘇州芯鎂信電子科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 廣州三環(huán)專利商標(biāo)代理有限公司 代理人 郝傳鑫;賈允
地址 215000江蘇省蘇州市吳中區(qū)東吳北路8號國裕大廈一期1504-3室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種鈀薄膜氫氣傳感器，包括硅襯底、絕緣層、至少一個硅槽、鈀合金薄膜組件、屏蔽層與控溫組件；其中，鈀合金薄膜組件包括對稱設(shè)置的第一鈀合金薄膜與第二鈀合金薄膜；屏蔽層位于絕緣層上，并且還開設(shè)吸收窗口，吸收窗口與第一鈀合金薄膜對應(yīng)設(shè)置，用于供第一鈀合金薄膜與氫氣接觸；控溫組件包括加熱線圈與測溫線圈，測溫線圈用于檢測鈀合金薄膜組件周圍的溫度，加熱線圈用于升高鈀合金薄膜組件周圍的溫度；硅槽與絕緣層相配合用于對鈀合金薄膜組件保溫。本發(fā)明采用對氫氣敏感度高的鈀合金，同時引入惠斯通電橋，大大提升了檢測精度；其特殊的立體結(jié)構(gòu)極大地提升了熱響應(yīng)速度，保溫效果好，靈敏度高。??