一種不含介質(zhì)層的太赫茲陣列傳輸天線(xiàn)的制備方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202011587582.X | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN112688071A | 公開(kāi)（公告）日 | 2021-04-20 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN112688071A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-04-20 |
| 分類(lèi)號(hào) | G03F7/20(2006.01)I;H01Q1/38(2006.01)I;G03F7/30(2006.01)I | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 沈方平;馬可貞;徐曉苗 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 蘇州芯鎂信電子科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 南京常青藤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 毛洪梅 |
| 地址 | 215128江蘇省蘇州市吳中區(qū)東吳北路8號(hào)國(guó)裕大廈一期1504-3室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明提供一種不含介質(zhì)層的太赫茲陣列傳輸天線(xiàn)的制備方法，具體涉及到天線(xiàn)技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明包括如下：對(duì)硅片進(jìn)行清洗，然后通過(guò)氮?dú)鈱?duì)硅片進(jìn)行烘干；烘干的硅片表面沉積一層氮化硅；硅片表面沉積一層金屬種子層；金屬種子層上進(jìn)行勻膠、光刻和顯影，得到圖形化的光刻膠；金屬種子層上電鍍一層復(fù)合金屬層；硅片的背面進(jìn)行勻膠、光刻和顯影，并采用等離子體蝕刻工藝，得到濕法腐蝕的對(duì)準(zhǔn)窗口；采用濕法腐蝕工藝，去除復(fù)合金屬層下方的硅片；制得的硅片通過(guò)膠鍵合的方式進(jìn)行摞列。本發(fā)明提出的一種不含介質(zhì)層的太赫茲陣列傳輸天線(xiàn)的制備方法，提高了信號(hào)強(qiáng)度，且制備工藝簡(jiǎn)單，降低了生產(chǎn)成本低。?? |
