多輸入的開漏輸出電路
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN201920937835.8 | 申請日 | - |
公開(公告)號(hào) | CN210168022U | 公開(公告)日 | 2020-03-20 |
申請公布號(hào) | CN210168022U | 申請公布日 | 2020-03-20 |
分類號(hào) | H03K17/08;H03K17/687 | 分類 | 基本電子電路; |
發(fā)明人 | 郭虎;王照新;李建偉;蔡彩銀 | 申請(專利權(quán))人 | 浙江德芯空間信息技術(shù)有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 北京華仁聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 孫艾明 |
地址 | 313200 浙江省湖州市德清縣舞陽街道塔山街901號(hào)1幢101室(莫干山國家高新區(qū)) | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本申請?zhí)峁┝艘环N多輸入的開漏輸出電路,通過第一信號(hào)接口、第二信號(hào)接口和第三信號(hào)接口分別對應(yīng)的接入第一MOS管、第二MOS、第三MOS管的柵極,第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管的源極均接地GND,第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管的漏級均與第一電阻串聯(lián)以連接至電源;信號(hào)端與邏輯電路之間具有一第二電阻;第一齊納二極管,其陰極連接第四開漏MOS管的柵極,其陽極連接第一開漏MOS管的源極;第二齊納二極管,其陰極連接第四開漏MOS管的漏極和第五開漏MOS管的柵極,其陽極連接第四開漏MOS管的源極和第五開漏MOS管的源極,實(shí)現(xiàn)解決目前開漏電路在當(dāng)電源電壓較高時(shí),高電平的控制信號(hào)會(huì)將開漏MOS管M1、M2的柵極擊穿,從而導(dǎo)致MOS管功能喪失的技術(shù)問題。 |
