砷化鎵電池及其制備方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201910721474.8 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN112349796A | 公開（公告）日 | 2021-02-09 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN112349796A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-02-09 |
| 分類號(hào) | H01L31/0304(2006.01)I; | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 黃文洋 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 東泰高科裝備科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京康信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 | 代理人 | 梁文惠 |
| 地址 | 102209北京市昌平區(qū)科技園區(qū)中興路10號(hào)A129-1室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明提供了一種砷化鎵電池及其制備方法。該砷化鎵電池包括第一外延結(jié)構(gòu)，第一外延結(jié)構(gòu)包括順序?qū)盈B的第一p型背層、第一p型基區(qū)、第一n型發(fā)射層和n型窗口接觸層，n型窗口接觸層為AlyIn(1?y)P層，0.45≤y＜0.6。上述結(jié)構(gòu)具有較高的透光率，能夠采用其來代替常規(guī)的AlGaInP窗口層、GaAs接觸層結(jié)構(gòu)；并且，無需再進(jìn)行透光度較差的GaAs接觸層刻蝕，可直接在其窗口接觸層上進(jìn)行增透膜制作及選擇性電極制作，減少了工序也避免了接觸層刻蝕時(shí)不良現(xiàn)象的發(fā)生，提高了電池效率。?? |
