載盤的處理方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910703561.0 申請日 -
公開（公告）號 CN112309925A 公開（公告）日 2021-02-02
申請公布號 CN112309925A 申請公布日 2021-02-02
分類號 H01L21/673(2006.01)I; 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 夏黎明;曹志強 申請（專利權）人 東泰高科裝備科技有限公司
代理機構 北京康信知識產(chǎn)權代理有限責任公司 代理人 梁文惠
地址 102209北京市昌平區(qū)科技園區(qū)中興路10號A129-1室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種載盤的處理方法。載盤包括盤體以及位于盤體中的多個凹槽，該處理方法包括以下步驟：去除載盤表面的生長物質，并在除凹槽之外的盤體表面生長水氧吸收材料，水氧吸收材料用于與盤體表面的氧原子結合。上述處理方法在去除盤體表面的生長物質之后，先在盤體表面生長水氧吸收材料，用于與盤體表面的氧原子結合，然后再放置基體進行半導體材料等生長物質的沉積或濺射，通過吸附殘余水氧，避免了現(xiàn)有技術中生長物質的去除工藝導致的水氧等雜質的引入，給后續(xù)生長創(chuàng)造一個潔凈的環(huán)境，提高了物質的生長良率，從而提高了產(chǎn)品的串阻升高。??