射頻功率兩路合成器及多路合成器
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202010360686.0 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN111403883A | 公開(kāi)（公告）日 | 2020-07-10 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN111403883A | 申請(qǐng)公布日 | 2020-07-10 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01P5/20(2006.01)I | 分類(lèi) | - |
| 發(fā)明人 | 張海華;詹銘周;汪奎;王明冉;陸建國(guó);王磊 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 成都灝德科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 成都華飛知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 成都灝德科技有限公司 |
| 地址 | 611130四川省成都市高新區(qū)西芯大道3號(hào)2棟2層202-2號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明涉及射頻微波技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種射頻功率兩路合成器及多路合成器，包括合成部、輸出端口、負(fù)載和兩個(gè)輸入端口，輸入端口設(shè)置在合成部的頂部?jī)啥?，合成部的下底面中部設(shè)置有下凹槽，輸出端口的頂部與下凹槽連接，合成部的上頂面中部設(shè)置在上凹槽，上凹槽延伸至輸出端口，合成部的中部側(cè)壁上設(shè)置有負(fù)載臺(tái)階，負(fù)載臺(tái)階通過(guò)過(guò)渡部與合成部連接。本發(fā)明以合成部、輸出端口和輸入端口構(gòu)成寬帶E面波導(dǎo)魔T導(dǎo)功率合成，并在合成部上設(shè)置負(fù)載臺(tái)階連接負(fù)載，實(shí)現(xiàn)兩個(gè)輸入端口輸入信號(hào)的幅度和相位均衡，達(dá)到高效的功率合成，并且該合成器結(jié)構(gòu)緊湊，體積小，帶寬大，插損低，承載功率高，實(shí)現(xiàn)了阻抗匹配，大大減小了回波損耗。?? |
