一種內(nèi)嵌于ka波段大功率功放的改進(jìn)型冷模預(yù)失真器
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201820806682.9 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN208190610U | 公開(kāi)（公告）日 | 2018-12-04 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN208190610U | 申請(qǐng)公布日 | 2018-12-04 |
| 分類(lèi)號(hào) | H03F3/195;H03F3/213;H03F1/32 | 分類(lèi) | 基本電子電路; |
| 發(fā)明人 | 王磊 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 成都灝德科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 成都正華專(zhuān)利代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 成都灝德科技有限公司 |
| 地址 | 643000 四川省成都市中國(guó)(四川)自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)成都高新區(qū)府城大道西段399號(hào)5棟1單元8層10號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本實(shí)用新型涉及一種內(nèi)嵌于ka波段大功率功放的改進(jìn)型冷模預(yù)失真器，包括功率放大器pHEMT1和與功率放大器pHEMT1的柵極相連的預(yù)失真信號(hào)產(chǎn)生及控制電路，預(yù)失真信號(hào)產(chǎn)生及控制電路包括贗同晶高電子遷移率晶體管pHEMT2、二極管D、電阻R1、電阻R2和電容C，贗同晶高電子遷移率晶體管pHEMT2的柵極分別與電阻R1的一端和電容C的一端相連，電阻R1的另一端連接電壓Vc1，電容C的另一端連接到地。故帶肖特基二極管D的cold?FET預(yù)失真信號(hào)產(chǎn)生及控制電路可增強(qiáng)預(yù)失真電路的非線性特性，應(yīng)用于大功率輸出的功率放大器的線性化。 |
