具有橫向達通二極管的網絡薄膜集成電路結構與制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN200510010044.3 申請日 -
公開（公告）號 CN100514641C 公開（公告）日 2009-07-15
申請公布號 CN100514641C 申請公布日 2009-07-15
分類號 H01L27/02(2006.01)I;H01L21/82(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 劉振茂;陶盛;孫芳魁;丁峰;李開國;趙暉;金妍 申請（專利權）人 黑龍江八達通用微電子有限公司
代理機構 哈爾濱市哈科專利事務所有限責任公司 代理人 黑龍江八達通用微電子有限公司
地址 150078黑龍江省哈爾濱市開發(fā)區(qū)迎賓集中區(qū)洪湖路哈爾濱國際科技城
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開一種具有橫向達通二極管的電阻(R)-電容(C)-二極管(D)網絡薄膜集成電路結構及制作，采用普通硅片(P)制作具有高導電層和過沖電壓保護的網絡薄膜集成電路，不采用硅外延或外延工藝，并且縮短工藝流程，降低集成電路制造成本。本發(fā)明中硼擴散形成的P+(11)區(qū)，既為集成電路的公共接地導電層，又是交叉脂狀橫向“達通”二極管(D)的“基區(qū)”和電容(C)的下電極，磷擴散形成的N+(22)是橫向“達通”二極管的“發(fā)射區(qū)”。P+區(qū)和N+區(qū)之間W區(qū)是橫向“達通“二極管反向偏壓時的達通區(qū)。采用化學氣相沉積法制造出硅片表面上的SiO2和Si3N4絕緣電介質層(31)，它也是電容(C)的電介質層；再在此電介質層上沉積制作電阻(R)(32)和電容(C)(33)的摻磷多晶硅層。金屬鋁層作為金屬化層，光刻后，形成電路內互連線，壓點區(qū)鋁層(43)和接地區(qū)(G)的壓焊點。沉積摻磷SiO2(34)形成芯片鈍化層，光刻出壓焊點(43)和接地點(G)制成芯片。