一種低電容肖特基二極管的制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201110000638.1 申請日 -
公開（公告）號 CN102129988A 公開（公告）日 2011-07-20
申請公布號 CN102129988A 申請公布日 2011-07-20
分類號 H01L21/329(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 楊忠武;朱江 申請（專利權(quán)）人 黑龍江八達通用微電子有限公司
代理機構(gòu) - 代理人 -
地址 150078 黑龍江省哈爾濱市開發(fā)區(qū)迎賓路集中區(qū)天平路6號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種低電容肖特基二極管的制造方法，通過氮氣氣氛擴散工藝，在外延層上表面形成雜質(zhì)濃度連續(xù)降低的輕摻雜層。本發(fā)明的低電容肖特基二極管的制造方法，工藝簡單易于生產(chǎn)，可對器件的電參數(shù)特性進行進一步優(yōu)化。