一種上電復(fù)位電路
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202110182500.1 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN112865772A | 公開(kāi)（公告）日 | 2021-05-28 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN112865772A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-05-28 |
| 分類號(hào) | H03K17/28(2006.01)I | 分類 | 基本電子電路; |
| 發(fā)明人 | 盧立柱 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 蘇州領(lǐng)慧立芯科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京思創(chuàng)大成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 劉亭 |
| 地址 | 215000江蘇省蘇州市中國(guó)（江蘇）自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)蘇州片區(qū)蘇州工業(yè)園區(qū)金雞湖大道88號(hào)人工智能產(chǎn)業(yè)園E4-045單元（該地址不得從事零售） | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明提供一種上電復(fù)位電路，包括：第一分壓模塊，其包括多個(gè)串聯(lián)的NMOS管，其中第一個(gè)NMOS管的漏極連接于電壓源，后一個(gè)NMOS管的漏極連接前一個(gè)NMOS管的源極，且多個(gè)NMOS管的柵極共接于電壓源；第二分壓模塊，與第一分壓模塊串接，其包括多個(gè)串聯(lián)的native型NMOS管，其中第一個(gè)native型NMOS管的漏極連接于第一分壓模塊最后一個(gè)NMOS管的源極，相鄰native型NMOS管中，后一個(gè)native型NMOS管的漏極連接于前一個(gè)native型NMOS管的源極，且每個(gè)native型NMOS管的柵極與各自的源極相連接，第二分壓模塊的接地端接參考地；反相器，連接于第二分壓模塊最后一個(gè)native型NMOS管的源極，反相器的輸出端輸出復(fù)位信號(hào)。?? |
