一種解決硅片擴散邊緣損傷的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010913135.2 申請日 -
公開(公告)號 CN112002664B 公開(公告)日 2021-05-25
申請公布號 CN112002664B 申請公布日 2021-05-25
分類號 H01L21/673(2006.01)I;H01L21/225(2006.01)I 分類 -
發(fā)明人 汪良恩;王錫康;姜蘭虎;尹紅 申請(專利權)人 山東芯源微電子有限公司
代理機構(gòu) 山東瑞宸知識產(chǎn)權代理有限公司 代理人 呂艷芹
地址 250200山東省濟南市章丘區(qū)清源大街北段路西
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種解決硅片擴散邊緣損傷的方法,主要涉及硅片生產(chǎn)制造技術領域,包括載體舟和放置在載體舟上的硅片,在所述載體舟上設有與硅片緊密接觸的隔離膜,所述隔離膜隔離膜由60%?80%氧化鋁或碳化硅粉料、20%?40%纖維素粘合劑混合成的漿料噴涂干燥制成的膜狀物,隔離膜鋪放于載體舟與硅片的接觸點位置,隔離膜在升溫過程,纖維素粘合劑逐漸分解燃燒揮發(fā),碳化硅或氧化鋁粉料形成固體孔隙結(jié)構(gòu),起到隔離作用。??