一種高純度單分散多孔氧化硅球的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010869164.3 申請日 -
公開(公告)號 CN112156730B 公開(公告)日 2022-05-03
申請公布號 CN112156730B 申請公布日 2022-05-03
分類號 B01J13/02(2006.01)I 分類 一般的物理或化學的方法或裝置;
發(fā)明人 馬珍珍;蔣學鑫;王韶暉;張軻軻 申請(專利權)人 安徽壹石通材料科技股份有限公司
代理機構 合肥中博知信知識產權代理有限公司 代理人 肖健
地址 233400安徽省蚌埠市懷遠縣經濟開發(fā)區(qū)金河路10號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種高純度單分散多孔氧化硅球的制備方法,涉及納米材料技術領域,本發(fā)明所述的高純度單分散多孔氧化硅球的制備方法,無需聚合物模板、表面活性劑、致孔劑,利用硅源中苯基的空間位阻效應致孔,使得制備過程簡單,同時也節(jié)約了聚合物、表面活性劑等資源,降低了生產成本;并且制備過程中沒有加入聚合物、表面活性劑等其它物質,因此無表面活性劑等殘留成分,純度更高。