一種高純度單分散多孔氧化硅球的制備方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202010869164.3 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN112156730B | 公開(公告)日 | 2022-05-03 |
申請公布號 | CN112156730B | 申請公布日 | 2022-05-03 |
分類號 | B01J13/02(2006.01)I | 分類 | 一般的物理或化學的方法或裝置; |
發(fā)明人 | 馬珍珍;蔣學鑫;王韶暉;張軻軻 | 申請(專利權)人 | 安徽壹石通材料科技股份有限公司 |
代理機構 | 合肥中博知信知識產權代理有限公司 | 代理人 | 肖健 |
地址 | 233400安徽省蚌埠市懷遠縣經濟開發(fā)區(qū)金河路10號 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開了一種高純度單分散多孔氧化硅球的制備方法,涉及納米材料技術領域,本發(fā)明所述的高純度單分散多孔氧化硅球的制備方法,無需聚合物模板、表面活性劑、致孔劑,利用硅源中苯基的空間位阻效應致孔,使得制備過程簡單,同時也節(jié)約了聚合物、表面活性劑等資源,降低了生產成本;并且制備過程中沒有加入聚合物、表面活性劑等其它物質,因此無表面活性劑等殘留成分,純度更高。 |
