一種多層芯片堆疊封裝結構及封裝方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202110765270.1 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN113690230A | 公開(公告)日 | 2021-11-23 |
申請公布號 | CN113690230A | 申請公布日 | 2021-11-23 |
分類號 | H01L25/18;H01L23/552;H01L23/367;H01L23/31;H01L21/50;H01L21/56 | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 喬金彪;侯慶河;宋方震 | 申請(專利權)人 | 江蘇鹽芯微電子有限公司 |
代理機構 | 蘇州銘浩知識產權代理事務所(普通合伙) | 代理人 | 潘志淵 |
地址 | 224000 江蘇省鹽城市高新區(qū)智能終端產業(yè)園一期3號廠房(華銳路西第一溝南)(D) | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明提供了一種多層芯片堆疊封裝結構,涉及芯片封裝技術領域,該封裝結構,包括PCB板,PCB板頂面分別設有豎直方向依次堆疊設置的若干片存儲芯片,以及處理芯片,處理芯片位于存儲芯片一側,處理芯片與存儲芯片之間設有連接線,PCB板、處理芯片以及存儲芯片之間通過連接線電性連接,豎直方向依次堆疊設置的存儲芯片外側以及處理芯片外側均套設有屏蔽罩,處理芯片與屏蔽罩之間以及存儲芯片與屏蔽罩之間均填充有第二導熱膠層,套設在堆疊存儲芯片外側的屏蔽罩依次連接;通過在芯片外側套設屏蔽罩,減弱外界磁場對芯片的干擾,以及減少芯片間的相互干擾,其次屏蔽罩還可增大處理芯片以及存儲芯片的散熱面積,提升其散熱性能。 |
