一種防止垂直腔面發(fā)射半導(dǎo)體激光器在濕法氧化時開裂的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN200610044192.1 申請日 -
公開（公告）號 CN100365889C 公開（公告）日 2008-01-30
申請公布號 CN100365889C 申請公布日 2008-01-30
分類號 H01S5/183(2006.01);H01S5/00(2006.01);H01L21/316(2006.01);H01L21/473(2006.01) 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 蔣偉;劉凱;張彥偉;孫夕慶 申請（專利權(quán)）人 常州中微光電子科技有限公司
代理機構(gòu) 濰坊鳶都專利事務(wù)所 代理人 常州中微光電子科技有限公司;中微光電子（濰坊）有限公司
地址 261061山東省濰坊市高新技術(shù)開發(fā)區(qū)玉清街東首中微光電子有限公司
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種防止垂直腔面發(fā)射半導(dǎo)體激光器在濕法氧化時開裂的方法：依次是將需要氧化的砷化鎵晶片放置在氧化爐內(nèi)腔的石墨塊上，密封氧化爐，將水蒸氣由氮氣夾帶通入到氧化爐內(nèi)腔中，分三個升溫時段加熱氧化爐，使砷化鎵晶片氧化后，關(guān)閉水蒸氣通路，再經(jīng)過降溫時段、烘烤時段和自然冷卻時段，最后關(guān)閉氮氣通路，從氧化爐內(nèi)取出氧化的砷化鎵晶片。采用這種防止垂直腔面發(fā)射半導(dǎo)體激光器在濕法氧化時開裂的方法，操作過程的重復(fù)性高、穩(wěn)定性好，在濕法氧化工藝過程中，開裂現(xiàn)象很少出現(xiàn)，質(zhì)量穩(wěn)定，成品率提高到95％以上。