一種高純硫酸的連續(xù)生產(chǎn)方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202011586083.9 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN112279220A | 公開(公告)日 | 2021-03-23 |
申請公布號 | CN112279220A | 申請公布日 | 2021-03-23 |
分類號 | C01B17/90 | 分類 | 無機(jī)化學(xué); |
發(fā)明人 | 王濤;王簫;趙繼舟;張雪梅;徐念;徐剛;徐浩;劉松 | 申請(專利權(quán))人 | 江蘇捷創(chuàng)新材料有限責(zé)任公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 蘇州創(chuàng)元專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 | 代理人 | 汪青;向亞蘭 |
地址 | 215000 江蘇省蘇州市吳中區(qū)郭巷街道尹豐路39號1幢4層408室 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開了一種高純硫酸的連續(xù)生產(chǎn)方法,包括依次進(jìn)行的發(fā)煙硫酸的解析工序、三氧化硫的精制工序、三氧化硫的吸收工序以及真空等離子體脫二氧化硫工序,通過解析獲得二氧化硫含量低于0.4%的三氧化硫,通過精制使其中單項(xiàng)金屬陽離子含量低于5ppt、二氧化硫低于20ppm;在脫二氧化硫工序中,采用裝有填料并配備等離子激發(fā)裝置的脫氣塔,將硫酸自上而下通過脫氣塔,使硫酸在填料表面形成降膜,同時(shí)自下而上通入氧氣和使脫氣塔內(nèi)形成氧?二氧化硫等離子體,最終獲得高純硫酸。本發(fā)明生產(chǎn)效率高,能耗低,污染物排放少、工藝穩(wěn)定性和安全性好,產(chǎn)品質(zhì)量穩(wěn)定,產(chǎn)品品質(zhì)好,可用于高集成度芯片的清洗和刻蝕。 |
