一種基于金屬電極的納米線陣列的生長方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201510194994.X 申請日 -
公開（公告）號 CN104909336B 公開（公告）日 2016-07-13
申請公布號 CN104909336B 申請公布日 2016-07-13
分類號 B82B3/00(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I 分類 超微技術〔7〕;
發(fā)明人 任大海;尤政;邊濰;魏福建;郭甜薇 申請（專利權）人 江蘇智能微系統(tǒng)工業(yè)技術股份有限公司
代理機構 北京眾合誠成知識產權代理有限公司 代理人 清華大學
地址 100084 北京市海淀區(qū)北京市100084-82信箱
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明屬于微電子工藝領域和儀器儀表技術領域，特別涉及特別涉及一種基于金屬電極的納米線陣列的生長方法。本發(fā)明方法步驟包括：步驟1，在多孔模板兩側分別制作電極A和電極B，其中電極B需確保不會堵塞多孔模板的孔洞；所述電極A為濺射得到的金屬電極，所述電極B為濺射得到的金屬電極；步驟2，電極A和電極B分別與電源相連，并浸入裝有電解液的溶液槽中，直至生長出均勻的納米線陣列。相比于采用化學機械拋光來保證納米線長度的一致性的方法，本發(fā)明方法對于納米線的長度控制更加簡單易行，不再需要拋光工藝介入。同時，本發(fā)明所提供的工藝途徑避免了拋光過程對多孔模板的損傷，有利于良品率的提高。