一種基于金屬電極的納米線陣列的生長(zhǎng)方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201510194994.X 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN104909336A 公開(kāi)（公告）日 2015-09-16
申請(qǐng)公布號(hào) CN104909336A 申請(qǐng)公布日 2015-09-16
分類號(hào) B82B3/00(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I 分類 超微技術(shù)〔7〕;
發(fā)明人 任大海;尤政;邊濰;魏福建;郭甜薇 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 江蘇智能微系統(tǒng)工業(yè)技術(shù)股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京眾合誠(chéng)成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 清華大學(xué)
地址 100084 北京市海淀區(qū)北京市100084-82信箱
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明屬于微電子工藝領(lǐng)域和儀器儀表技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種基于金屬電極的納米線陣列的生長(zhǎng)方法。本發(fā)明方法步驟包括：步驟1，在多孔模板兩側(cè)分別制作電極A和電極B，其中電極B需確保不會(huì)堵塞多孔模板的孔洞；所述電極A為濺射得到的金屬電極，所述電極B為濺射得到的金屬電極；步驟2，電極A和電極B分別與電源相連，并浸入裝有電解液的溶液槽中，直至生長(zhǎng)出均勻的納米線陣列。相比于采用化學(xué)機(jī)械拋光來(lái)保證納米線長(zhǎng)度的一致性的方法，本發(fā)明方法對(duì)于納米線的長(zhǎng)度控制更加簡(jiǎn)單易行，不再需要拋光工藝介入。同時(shí)，本發(fā)明所提供的工藝途徑避免了拋光過(guò)程對(duì)多孔模板的損傷，有利于良品率的提高。