一種可關斷的連續(xù)調諧半導體激光器芯片結構

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201920102072.5 申請日 -
公開（公告）號 CN209233159U 公開（公告）日 2019-08-09
申請公布號 CN209233159U 申請公布日 2019-08-09
分類號 H01S5/12;H01S5/06 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 董延;李馬惠;穆瑤;衛(wèi)思逸;楊亞楠;任鵬強;伍成陽;韋盼;焦富翔 申請（專利權）人 陜西源杰半導體科技股份有限公司咸陽分公司
代理機構 西安通大專利代理有限責任公司 代理人 陜西源杰半導體技術有限公司咸陽分公司
地址 712000 陜西省咸陽市西咸新區(qū)灃西新城總部經(jīng)濟園9號樓1311室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種可關斷的連續(xù)調諧半導體激光器芯片結構，包括基板、分布式反饋?多量子阱、電吸收?多量子阱、光柵層、電隔離區(qū)和包層；基板的上表面并排設置有分布式反饋?多量子阱和電吸收?多量子阱，分布式反饋?多量子阱的末端和電吸收?多量子阱的首端相接；反饋?多量子阱和電吸收?多量子阱的上表面設置有光柵層，光柵層上方沉積設置有包層；包層上刻蝕設置有電隔離區(qū)；本實用新型實現(xiàn)了對信道切換間的竄擾的隔離。本實用新型芯片的可關斷功率可以達到?20dBm～?60dBm，滿足光信號隔離要求。