一種提高電流注入的掩埋型分布反饋半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201920110029.3 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN209358060U 公開(kāi)（公告）日 2019-09-06
申請(qǐng)公布號(hào) CN209358060U 申請(qǐng)公布日 2019-09-06
分類號(hào) H01S5/12（2006.01）I; H01S5/223（2006.01）I; H01S5/323（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 劉從軍; 王興; 張海超; 岳宗豪; 許眾; 趙赫; 王凡; 高晨 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 陜西源杰半導(dǎo)體科技股份有限公司咸陽(yáng)分公司
代理機(jī)構(gòu) 西安通大專利代理有限責(zé)任公司 代理人 陜西源杰半導(dǎo)體技術(shù)有限公司咸陽(yáng)分公司
地址 712000 陜西省咸陽(yáng)市西咸新區(qū)灃西新城總部經(jīng)濟(jì)園9號(hào)樓1311室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型提供的一種提高電流注入的掩埋型分布反饋半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括具有P?InP/N?InP同質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)的襯底，該襯底的表面形成有波導(dǎo)結(jié)構(gòu)，該波導(dǎo)結(jié)構(gòu)的兩側(cè)波導(dǎo)區(qū)分別形成有N?InP結(jié)構(gòu)，所述N?InP結(jié)構(gòu)的高度大于波導(dǎo)結(jié)構(gòu)的高度，使得在波導(dǎo)區(qū)正上方形成漏斗狀結(jié)構(gòu)；本實(shí)用新型提供的一種提高電流注入的掩埋型分布反饋半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括具有P?InP/N?InP同質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)的襯底，該襯底的表面形成有波導(dǎo)結(jié)構(gòu)，該波導(dǎo)結(jié)構(gòu)的兩側(cè)波導(dǎo)區(qū)分別形成有N?InP結(jié)構(gòu)，所述N?InP結(jié)構(gòu)的高度大于波導(dǎo)結(jié)構(gòu)的高度，使得在波導(dǎo)區(qū)正上方形成漏斗狀結(jié)構(gòu)。