一種邊射型半導(dǎo)體激光器芯片結(jié)構(gòu)

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201920099157.2 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN209233160U 公開(kāi)（公告）日 2019-08-09
申請(qǐng)公布號(hào) CN209233160U 申請(qǐng)公布日 2019-08-09
分類(lèi)號(hào) H01S5/343;H01S5/06 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 師宇晨;王興;羅俊崗;張西璐;劉虎強(qiáng);劉晨;趙小亮;劉阿娟;李登科;席人杰;李長(zhǎng)超 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 陜西源杰半導(dǎo)體科技股份有限公司咸陽(yáng)分公司
代理機(jī)構(gòu) 西安通大專(zhuān)利代理有限責(zé)任公司 代理人 陜西源杰半導(dǎo)體技術(shù)有限公司咸陽(yáng)分公司
地址 712000 陜西省咸陽(yáng)市西咸新區(qū)灃西新城總部經(jīng)濟(jì)園9號(hào)樓1311室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種邊射型半導(dǎo)體激光器芯片結(jié)構(gòu)，包括InGaAsP量子阱層、InP包覆層、金屬接觸層銦鎵砷層和P型摻雜InP層；InGaAsP量子阱層的一端設(shè)置有InP包覆層生長(zhǎng)面，InP包覆層生長(zhǎng)面的上表面低于InGaAsP量子阱層的上表面；InP包覆層設(shè)置在InP包覆層生長(zhǎng)面，InP包覆層的上表面與InGaAsP量子阱層上表面齊平；P型摻雜InP層設(shè)置在InGaAsP量子阱層和InP包覆層的上表面；金屬接觸層銦鎵砷層設(shè)置在P型摻雜InP層的上表面。本實(shí)用新型在端面量子阱尖角結(jié)構(gòu)處，由于量子阱區(qū)厚度被縮小，導(dǎo)致在這一區(qū)域量子阱對(duì)光的束縛能力減弱，從而達(dá)到減小激光器芯片的發(fā)散角的目的。