一種由工業(yè)硅提純制備高純硅的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN200910102811.1 申請日 -
公開（公告）號 CN102040219A 公開（公告）日 2011-05-04
申請公布號 CN102040219A 申請公布日 2011-05-04
分類號 C01B33/037(2006.01)I 分類 無機化學;
發(fā)明人 吳展平 申請（專利權）人 陜西威斯特硅業(yè)有限公司
代理機構 貴陽東圣專利商標事務有限公司 代理人 貴陽寶源陽光硅業(yè)有限公司;陜西威斯特硅業(yè)有限公司
地址 550014 貴州省貴陽市白云區(qū)白云北路硅材料基地
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種由工業(yè)硅提純制備高純硅的方法，該方法是結合工業(yè)硅生產，直接利用爐外精煉硅熔體，在爐外精煉設備里進行氧化造渣除硼，去渣后的硅熔體上傾倒入除磷的設備，還原造渣除磷后，待硅熔體緩慢冷卻至室溫，將得到的硅錠去掉渣層、雜質含量高的表層后，粉碎至粒度20-50目，再進入高純鹽酸中浸泡、清洗，烘干。最后進行定向凝固進一步除金屬雜質，得到B含量＜0.5ppm，P含量＜1ppm，總金屬夾雜物含量＜1ppm的高純硅。