一種去除硅中雜質(zhì)磷的方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN200910102781.4 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN102020278A 公開（公告）日 2011-04-20
申請(qǐng)公布號(hào) CN102020278A 申請(qǐng)公布日 2011-04-20
分類號(hào) C01B33/037(2006.01)I 分類 無機(jī)化學(xué);
發(fā)明人 吳展平 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 陜西威斯特硅業(yè)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 貴陽東圣專利商標(biāo)事務(wù)有限公司 代理人 徐逸心
地址 550014 貴州省貴陽市白云區(qū)白云北路硅材料基地
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明一種去除硅中雜質(zhì)磷的方法，屬物理冶金提純硅的技術(shù)領(lǐng)域，采用真空感應(yīng)爐，在惰性氣體氬氣保護(hù)下，用具有強(qiáng)還原性的含鈣合金或鈣化合物作為脫磷劑，用鈣的鹵化物作助熔劑，在硅熔融態(tài)下進(jìn)行脫磷反應(yīng)。其操作步驟是：將工業(yè)硅料、脫磷劑、助熔劑按比例配好，混勻盛入坩堝內(nèi)，將坩堝置于密閉的真空感應(yīng)加熱爐；抽出爐內(nèi)空氣，使加熱爐保持微負(fù)壓，停止抽真空，向加熱爐內(nèi)填充氬氣，使?fàn)t內(nèi)外氣壓一致；感應(yīng)加熱，當(dāng)爐內(nèi)溫度達(dá)到1450℃-1600℃時(shí)，維持20-30min；脫磷結(jié)束后，緩慢自然冷卻至室溫；在稀鹽酸下浸泡處理硅塊2-4小時(shí)，去除雜質(zhì)。經(jīng)過脫磷處理后的硅塊，磷含量小于2ppm，再進(jìn)行去硼、去金屬雜質(zhì)處理，可作為太陽能電池的硅原料。