太陽能級硅的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN200610200551.8 申請日 -
公開（公告）號 CN101085678B 公開（公告）日 2010-11-10
申請公布號 CN101085678B 申請公布日 2010-11-10
分類號 C01B33/021(2006.01)I;C01B33/037(2006.01)I 分類 無機(jī)化學(xué);
發(fā)明人 吳展平;杜相華;楊晗輝 申請（專利權(quán)）人 陜西威斯特硅業(yè)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 貴陽中新專利商標(biāo)事務(wù)所 代理人 貴陽寶源陽光硅業(yè)有限公司;陜西威斯特硅業(yè)有限公司
地址 550014 貴州省貴陽市白云區(qū)白云北路硅材料基地
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種太陽能級硅的制備方法，該方法采用金屬硅或金屬硅粉為原材料，通過化學(xué)除雜與物理冶煉除雜相結(jié)合的方法，將硅中的各雜質(zhì)元素含量降到1ppm以下，特別是磷≤0.5ppm，B≤0.3ppm，電阻率≥2Ωcm，從而制得低成本的高純硅。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明采用化學(xué)處理和物理處理相結(jié)合，能更有效地降低硅里面的雜質(zhì)元素；能耗較低，設(shè)備投資少，建設(shè)周期短，過程的環(huán)保容易克服，相同規(guī)模的投資比較少；與純物理熔煉方法比較，更容易降低B、P的含量，所得產(chǎn)品純度高。