垂直型器件的制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010027027.5 申請日 -
公開（公告）號 CN113113496B 公開（公告）日 2022-03-01
申請公布號 CN113113496B 申請公布日 2022-03-01
分類號 H01L29/872（2006.01）I;H01L29/40（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L21/329（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 程凱 申請（專利權）人 蘇州晶湛半導體有限公司
代理機構 北京博思佳知識產權代理有限公司 代理人 曾鶯華
地址 215123江蘇省蘇州市蘇州工業(yè)園區(qū)金雞湖大道99號西北區(qū)20幢517-A室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請?zhí)峁┮环N垂直型器件的制作方法，以提高垂直型器件的反向擊穿電壓。該制備方法包括：在N型重摻雜層的正面形成多個第一凹槽；在第一凹槽內以及N型重摻雜層的正面形成N型輕摻雜層，在N型輕摻雜層上形成第二凹槽，第二凹槽位置對應第一凹槽形成；在第二凹槽內以及N型輕摻雜層的正面形成P型半導體層；平坦化P型半導體層，除去位于N型輕摻雜層的正面的P型半導體層，僅保留第二凹槽內的P型半導體層；在上述結構上形成鈍化層，鈍化層形成有第三凹槽，第三凹槽位于第二凹槽內的部分P型半導體層上、以及相鄰的兩個第二凹槽之間的N型輕摻雜層上第三凹槽的深度等于鈍化層的厚度；形成第一電極和第二電極。