半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201980098556.X 申請日 -
公開（公告）號 CN114175274A 公開（公告）日 2022-03-11
申請公布號 CN114175274A 申請公布日 2022-03-11
分類號 H01L29/78（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 程凱 申請（專利權(quán)）人 蘇州晶湛半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京博思佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 梁鵬
地址 215123江蘇省蘇州市蘇州工業(yè)園區(qū)金雞湖大道99號西北區(qū)20幢517-A室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請?zhí)峁┮环N半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制備方法。所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括：層疊設(shè)置的第一n型半導(dǎo)體層、p型半導(dǎo)體層以及第二n型半導(dǎo)體層，所述第一n型半導(dǎo)體層中設(shè)有掩埋層，所述掩埋層為AlGaN；凹槽，所述凹槽至少貫穿所述第二n型半導(dǎo)體層以及所述p型半導(dǎo)體層，且所述凹槽的下方至少留有部分所述掩埋層；設(shè)于凹槽內(nèi)的柵極。所述制備方法用于制備所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。本申請通過設(shè)置具有AlGaN的掩埋層，在接續(xù)高溫生長其他半導(dǎo)體層的過程中，由于AlGaN在高溫下不易分解，因此凹槽不會貫穿掩埋層，從而凹槽的深度不會低于具有AlGaN的掩埋層，而能夠精確控制凹槽的深度。