氮化物半導(dǎo)體襯底的制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201980099229.6 申請日 -
公開（公告）號 CN114207847A 公開（公告）日 2022-03-18
申請公布號 CN114207847A 申請公布日 2022-03-18
分類號 H01L33/20（2006.01）I;H01L33/32（2006.01）I;H01L33/00（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 程凱 申請（專利權(quán)）人 蘇州晶湛半導(dǎo)體有限公司
代理機構(gòu) 北京博思佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 梁鵬
地址 215123江蘇省蘇州市蘇州工業(yè)園區(qū)金雞湖大道99號西北區(qū)20幢517-A室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請?zhí)峁┝艘环N氮化物半導(dǎo)體襯底的制作方法，利用埋層二氧化硅與第一氮化物半導(dǎo)體層之間的點接觸與部分懸空結(jié)構(gòu)，緩解第二氮化物半導(dǎo)體層外延生長中的應(yīng)力失配問題，可實現(xiàn)低缺陷、大尺寸氮化物半導(dǎo)體襯底的制作；此外，也利于自支撐氮化物半導(dǎo)體襯底制作過程中的底層硅剝離。