一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201980095825.7 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN114072925A 公開（公告）日 2022-02-18
申請(qǐng)公布號(hào) CN114072925A 申請(qǐng)公布日 2022-02-18
分類號(hào) H01L29/778（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L21/335（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 程凱 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 蘇州晶湛半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京布瑞知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 孟潭
地址 215123江蘇省蘇州市蘇州工業(yè)園區(qū)金雞湖大道99號(hào)西北區(qū)20幢517-A室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制備方法，包括：襯底（1）、溝道層（4）、勢(shì)壘層（5）、柵極結(jié)構(gòu)（6）、源極（7）、漏極（8），其中所述柵極結(jié)構(gòu)（6）包括p型半導(dǎo)體層（62）、n型半導(dǎo)體層（63）、柵極（65）；提高了柵極（65）對(duì)溝道的控制能力；提高半導(dǎo)體器件的閾值電壓，避免柵極結(jié)構(gòu)（6）垂直漏電，降低柵極結(jié)構(gòu)（6）側(cè)面漏電；避免溝道退化，提高器件的整體輸出特性。