GaN基半導體結構

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202122239416.7 申請日 -
公開（公告）號 CN215933615U 公開（公告）日 2022-03-01
申請公布號 CN215933615U 申請公布日 2022-03-01
分類號 H01L29/778（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 程凱 申請（專利權）人 蘇州晶湛半導體有限公司
代理機構 北京博思佳知識產權代理有限公司 代理人 林祥
地址 215123江蘇省蘇州市蘇州工業(yè)園區(qū)金雞湖大道99號西北區(qū)20幢517-A室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型提供了一種GaN基半導體結構，包括：襯底，溝道層與勢壘層，溝道層與勢壘層包括柵極區(qū)域、源極區(qū)域與漏極區(qū)域；位于源極區(qū)域上的源區(qū)N型離子重摻雜，位于漏極區(qū)域上的漏區(qū)N型離子重摻雜層；以及位于柵極區(qū)域上的柵極、位于源區(qū)N型離子重摻雜層上的源極與位于漏區(qū)N型離子重摻雜層上的漏極。根據(jù)本實用新型的實施例，可以增大二維電子氣在源極至溝道，和/或溝道至漏極路徑上的收集面積，從而降低通過電阻。