發(fā)光器件、發(fā)光器件的模板及其制備方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201980097776.0 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN114072895A | 公開(kāi)（公告）日 | 2022-02-18 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN114072895A | 申請(qǐng)公布日 | 2022-02-18 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01L21/20（2006.01）I;H01L33/00（2006.01）I | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 程凱;張麗旸 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 蘇州晶湛半導(dǎo)體有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京布瑞知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 秦衛(wèi)中 |
| 地址 | 215123江蘇省蘇州市蘇州工業(yè)園區(qū)金雞湖大道99號(hào)西北區(qū)20幢517-A室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 一種發(fā)光器件、發(fā)光器件的模板及其制備方法，通過(guò)在襯底（1）上設(shè)置GaN基半導(dǎo)體層（2）和掩膜層（3），其中掩膜層（3）包括多個(gè)間隔設(shè)置的掩膜開(kāi)孔，且使用GaN基半導(dǎo)體層（2）填充掩膜開(kāi)孔；并且在多個(gè)間隔設(shè)置的掩膜開(kāi)孔內(nèi)的GaN基半導(dǎo)體層（2）表面設(shè)置犧牲層（4），利用間隔設(shè)置掩膜開(kāi)孔，可以直接在掩膜開(kāi)孔上形成間隔的發(fā)光單元（5），避免側(cè)壁刻蝕，提高了發(fā)光器件的發(fā)光效率，并且通過(guò)刻蝕犧牲層（4）來(lái)剝離發(fā)光器件，實(shí)現(xiàn)模板的重復(fù)利用，降低成本。 |
