一種二次電池負(fù)極材料用納米硅粒子的制造方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202010057479.8 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN111785952B 公開（公告）日 2021-10-29
申請(qǐng)公布號(hào) CN111785952B 申請(qǐng)公布日 2021-10-29
分類號(hào) H01M4/38（2006.01）I;H01M10/0525（2010.01）I;C01B33/021（2006.01）I;B82Y40/00（2011.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 金奉淵;李琰;張滿強(qiáng) 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 成都拓米電子裝備制造有限公司
代理機(jī)構(gòu) 成都九鼎天元知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 李想
地址 611730四川省成都市郫都區(qū)成都現(xiàn)代工業(yè)港新經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)園文德西街389號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種二次電池負(fù)極材料用納米硅粒子的制造方法，屬于電池材料的技術(shù)領(lǐng)域，該方法包括：將A硅晶片經(jīng)水溶性粘合劑處理，以獲取表面帶有水溶性粘合劑膜的B硅晶片；將B硅晶片進(jìn)行激光照射獲取C硅晶片并通過C硅晶片制備高濃度的納米顆粒溶液；通過對(duì)高濃度納米硅溶液進(jìn)行加熱或過濾以制備納米硅粉末，即為均勻的納米硅顆粒，以達(dá)到提高原料的利用率并能夠進(jìn)行大批量生產(chǎn)的效果。