高效率封裝的IGBT模塊

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011546565.1 申請日 -
公開（公告）號 CN112670276A 公開（公告）日 2021-04-16
申請公布號 CN112670276A 申請公布日 2021-04-16
分類號 H01L25/07;H01L29/739;H01L29/868;H01L23/488 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 呂巖;陳寶川;朱陽軍;蘇江 申請（專利權(quán)）人 芯長征微電子制造（山東）有限公司
代理機構(gòu) 蘇州國誠專利代理有限公司 代理人 韓鳳
地址 264300 山東省威海市榮成市嶗山南路788號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種高效率封裝的IGBT模塊。其包括封裝底板、設(shè)置于所述封裝底板上的模塊第一覆銅陶瓷板以及設(shè)置于所述封裝底板上的模塊第二覆銅陶瓷板，在模塊第一覆銅陶瓷板上設(shè)有第一IGBT芯片單元體，在模塊第二覆銅陶瓷板上設(shè)有第二IGBT芯片單元體；第一IGBT芯片單元體、第二IGBT芯片單元體能與封裝底板上的功率端子組、控制端子板組適配連接，以連接成所需的IGBT拓撲電路；功率端子組與模塊第一覆銅陶瓷板、模塊第二覆銅陶瓷板適配電連接，且功率端子組內(nèi)的功率端子體與模塊第一覆銅陶瓷板和/或模塊第二覆銅陶瓷板通過超聲波焊接或軟釬料焊接固定。本發(fā)明結(jié)構(gòu)緊湊，采用超聲波焊接，能提高IGBT模塊的生產(chǎn)效率以及質(zhì)量。