一種紅外LED及其制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201710347362.1 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN107123712A 公開（公告）日 2017-09-01
申請(qǐng)公布號(hào) CN107123712A 申請(qǐng)公布日 2017-09-01
分類號(hào) H01L33/00(2010.01)I;H01L33/34(2010.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 冉文方 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 湛江通用電氣有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 710065 陜西省西安市高新區(qū)高新路86號(hào)領(lǐng)先時(shí)代廣場(chǎng)（B座）第2幢1單元22層12202號(hào)房51號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種紅外LED及其制備方法，所述制備方法包括：選取單晶Si襯底；在所述單晶Si襯底上生長(zhǎng)Ge外延層；利用激光再晶化工藝處理包括所述單晶Si襯底、所述Ge外延層的整個(gè)材料，得到晶化Ge層；對(duì)所述晶化Ge層摻雜形成P型晶化Ge層；在所述P型晶化Ge層上生長(zhǎng)第一Ge阻擋層；在所述第一Ge阻擋層上生長(zhǎng)GeSn層；在所述GeSn層上生長(zhǎng)第二Ge阻擋層；在所述第二Ge阻擋層上生長(zhǎng)Ge層并摻雜形成N型Ge層；在所述P型晶化Ge層及所述N型Ge層上分別引出電極。本發(fā)明提供的紅外LED，與傳統(tǒng)發(fā)光管相比，工藝簡(jiǎn)單、發(fā)光效率高、器件性能可靠。