真空處理裝置
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201910717248.2 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN112323034A | 公開(kāi)（公告）日 | 2021-02-05 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN112323034A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-02-05 |
| 分類號(hào) | C23C14/48(2006.01)I; | 分類 | 對(duì)金屬材料的鍍覆；用金屬材料對(duì)材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕; |
| 發(fā)明人 | 郭久林;張志強(qiáng);楊志剛 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 武漢光谷創(chuàng)元電子有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 中國(guó)專利代理（香港）有限公司 | 代理人 | 劉林華;金飛 |
| 地址 | 430070湖北省武漢市東湖開(kāi)發(fā)區(qū)關(guān)東科技工業(yè)園華光大道18號(hào)高科大廈8樓8078室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明涉及一種真空處理裝置(1)，包括：上料系統(tǒng)(10)，構(gòu)造成將基材(100)送入真空處理裝置(1)中；設(shè)置在真空腔體(C)內(nèi)的離子源系統(tǒng)(20)，包括前處理模塊、離子注入模塊(22)、多弧離子鍍沉積模塊(23)以及磁控濺射模塊(24)，以對(duì)基材(100)進(jìn)行處理；電源系統(tǒng)(30)，為離子源系統(tǒng)(20)中的各個(gè)模塊提供電力；移動(dòng)系統(tǒng)(40)，構(gòu)造成移動(dòng)基材(100)以使其經(jīng)過(guò)離子源系統(tǒng)(20)中的各個(gè)模塊；以及下料系統(tǒng)(50)，構(gòu)造成從真空處理裝置(1)取出處理后的基材(100)。這種真空處理裝置具有高效率、自動(dòng)化、低成本的特點(diǎn)，能夠?qū)崿F(xiàn)數(shù)量眾多的小型多面體塊狀器件的連續(xù)金屬化。?? |
