制作高頻天線封裝基板的加成法工藝和AiP封裝天線結(jié)構(gòu)

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201911030072.X 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN110798988B 公開(kāi)（公告）日 2021-05-11
申請(qǐng)公布號(hào) CN110798988B 申請(qǐng)公布日 2021-05-11
分類(lèi)號(hào) H05K3/10;H05K3/24;H01Q1/22;H01Q1/38;H01Q1/48;H01Q1/50 分類(lèi) 其他類(lèi)目不包含的電技術(shù);
發(fā)明人 張志強(qiáng);張金強(qiáng);楊志剛 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 武漢光谷創(chuàng)元電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 中國(guó)專利代理（香港）有限公司 代理人 朱鐵宏;陳浩然
地址 430070 湖北省武漢市東湖開(kāi)發(fā)區(qū)關(guān)東科技工業(yè)園華光大道18號(hào)高科大廈8樓8078室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及制作高頻天線封裝基板的加成法工藝和AiP封裝天線結(jié)構(gòu)。具體而言，公開(kāi)了一種用于制作高頻天線封裝基板或器件的加成法工藝，包括：在絕緣基材的表面上局部絲印覆蓋材料；對(duì)覆蓋材料的表面和未經(jīng)覆蓋的絕緣基材的表面進(jìn)行離子注入金屬化以形成導(dǎo)電籽晶層；從絕緣基材的表面去除覆蓋材料以露出導(dǎo)電籽晶層的金屬化導(dǎo)電圖形；以及在露出的導(dǎo)電籽晶層的金屬化導(dǎo)電圖形上進(jìn)行圖形電鍍銅加厚以形成帶有最終金屬化圖形的天線封裝基板或器件。此外，還公開(kāi)了一種AiP封裝天線結(jié)構(gòu)，包括天線封裝基板，以及電性連接至天線封裝基板的芯片。天線封裝基板的導(dǎo)體線路截面是完全的垂直型，從而能夠最大限度地避免在毫米波高頻信號(hào)方面的損耗。