微波器件的制造設(shè)備和制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010381497.1 申請日 -
公開（公告）號 CN113621929A 公開（公告）日 2021-11-09
申請公布號 CN113621929A 申請公布日 2021-11-09
分類號 C23C14/50（2006.01）I;C23C14/48（2006.01）I;C23C14/35（2006.01）I;C23C14/22（2006.01）I;C23C14/20（2006.01）I;H01P11/00（2006.01）I 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 楊志剛;王志建;郭久林 申請（專利權(quán)）人 武漢光谷創(chuàng)元電子有限公司
代理機構(gòu) 中國專利代理（香港）有限公司 代理人 劉林華;金飛
地址 430070湖北省武漢市東湖開發(fā)區(qū)關(guān)東科技工業(yè)園華光大道18號高科大廈8樓8078室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種微波器件的制造設(shè)備和制造方法。微波器件的制造設(shè)備（1）包括：夾具（10，10'），所述夾具（10，10'）包括能夠圍繞第一軸線（A1）旋轉(zhuǎn)的基座（11）、以及能夠圍繞第二軸線（A2）擺動的托架（12），所述托架（12）連接至所述基座（11）以用于保持絕緣基體（40），其中所述第一軸線（A1）與所述第二軸線（A2）相交；用于朝所述絕緣基體（40）釋放金屬離子的源頭（20）；以及控制器（30），所述控制器（30）耦合至所述夾具（10，10'）和所述源頭（20），并且構(gòu)造成控制所述夾具（10，10'）的運動模式和/或所述源頭（20）的角度，使得所述絕緣基體（40）從多個角度接收所述金屬離子，并在所述絕緣基體（40）的所有表面（41）上形成金屬層（50）。