一種背面電容結(jié)構(gòu)及制作方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201910852659.2 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN110752207B 公開（公告）日 2021-04-30
申請(qǐng)公布號(hào) CN110752207B 申請(qǐng)公布日 2021-04-30
分類號(hào) H01L23/64 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 吳淑芳;陳智廣;李立中;黃光偉;吳靖;馬躍輝;莊永淳;林偉銘 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 福建省福聯(lián)集成電路有限公司
代理機(jī)構(gòu) 福州市景弘專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 徐劍兵;張忠波
地址 351117 福建省莆田市涵江區(qū)江口鎮(zhèn)赤港涵新路3688號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開一種背面電容結(jié)構(gòu)及制作方法，其中方法包括如下：在半導(dǎo)體襯底的正面設(shè)有氮化物層，在半導(dǎo)體襯底的背面正對(duì)氮化物層設(shè)置有孔，所述孔底為氮化物層：在孔內(nèi)壁和半導(dǎo)體襯底的背面上設(shè)置有第一金屬層；在孔內(nèi)壁和半導(dǎo)體襯底的背面上設(shè)置有介質(zhì)層，介質(zhì)層覆蓋第一金屬層；在半導(dǎo)體襯底的第一金屬層上的介質(zhì)層設(shè)置有通孔；在半導(dǎo)體襯底的背面上制作孔，制作孔內(nèi)的電容結(jié)構(gòu)可以大大提高電容面積，提高了外延結(jié)構(gòu)的面積利用率；占用的平面空間更小，有利于縮小器件尺寸；不改變?cè)械闹瞥坦に嚿希谱鞒霰趁骐娙?，?jié)省工藝成本。