一種孔槽式的電容結(jié)構(gòu)及制作方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN201910366425.7 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN110223970B | 公開(公告)日 | 2021-04-30 |
申請公布號 | CN110223970B | 申請公布日 | 2021-04-30 |
分類號 | H01L23/64;H01L23/522;H01L21/48 | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 莊永淳;吳靖;馬躍輝;黃光偉;李立中;林偉銘 | 申請(專利權(quán))人 | 福建省福聯(lián)集成電路有限公司 |
代理機構(gòu) | 福州市景弘專利代理事務(wù)所(普通合伙) | 代理人 | 徐劍兵;林祥翔 |
地址 | 351117 福建省莆田市涵江區(qū)江口鎮(zhèn)赤港涵新路3688號 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開一種孔槽式的電容結(jié)構(gòu)及制作方法,其中方法包括如下步驟:在半導(dǎo)體器件上制作絕緣區(qū)域;在絕緣區(qū)域的位置制作孔;在孔內(nèi)壁制作第一金屬層;在孔內(nèi)壁的第一金屬層上制作覆蓋第一金屬層介質(zhì)層;在孔內(nèi)壁的介質(zhì)層上制作第二金屬層。本方案可以解決傳統(tǒng)平面電容占用半導(dǎo)體器件面積大、容值低的問題。 |
