半導(dǎo)體器件的制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201810570900.8 申請日 -
公開（公告）號 CN110571194B 公開（公告）日 2021-11-19
申請公布號 CN110571194B 申請公布日 2021-11-19
分類號 H01L21/8234（2006.01）I;H01L21/8238（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張海洋;鐘伯琛 申請（專利權(quán)）人 中芯國際集成電路制造（天津）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 屈蘅;李時云
地址 300385天津市西青區(qū)中國天津市西青經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)興華道19號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件的制造方法，先在第一區(qū)和第二區(qū)內(nèi)形成頂面高度不同的第一虛擬柵極結(jié)構(gòu)和第二虛擬柵極結(jié)構(gòu)，然后利用層間介質(zhì)層將頂面高度相對較低的第一虛擬柵極結(jié)構(gòu)保護(hù)起來，并將第二虛擬柵極結(jié)構(gòu)替換為第二金屬柵極結(jié)構(gòu)，之后再次通過化學(xué)機(jī)械平坦化工藝對第二虛擬柵極結(jié)構(gòu)頂面的高度進(jìn)行較低，直至暴露出第一虛擬柵極結(jié)構(gòu)，由此可以將第一虛擬柵極結(jié)構(gòu)替換為第一金屬柵極結(jié)構(gòu)，本發(fā)明的方法避免了原有的形成不同的功函數(shù)層時的光刻工藝和刻蝕工藝，使得第一金屬柵極結(jié)構(gòu)和第二金屬柵極結(jié)構(gòu)的形成工藝能夠相互獨立，不會對彼此所在的半導(dǎo)體襯底的區(qū)域帶來額外的工藝損傷，提高最終制得的半導(dǎo)體器件的性能。