半導(dǎo)體垂直結(jié)構(gòu)和半導(dǎo)體器件的制造方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201810036773.3 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN110047923B 公開（公告）日 2022-03-18
申請(qǐng)公布號(hào) CN110047923B 申請(qǐng)公布日 2022-03-18
分類號(hào) H01L29/775（2006.01）I;H01L21/335（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張海洋;紀(jì)世良 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 中芯國(guó)際集成電路制造（天津）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 屈蘅;李時(shí)云
地址 300385天津市西青區(qū)中國(guó)天津市西青經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)興華道19號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體垂直結(jié)構(gòu)和半導(dǎo)體器件的制造方法，至少在半導(dǎo)體材料層的表面上覆蓋一金屬催化劑層后，再以所述圖案化掩膜為掩膜，在金屬催化劑層的催化作用下對(duì)所述半導(dǎo)體材料層進(jìn)行刻蝕，以形成半導(dǎo)體垂直結(jié)構(gòu)，能夠較為精確地控制形成的半導(dǎo)體垂直結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵尺寸，改善半導(dǎo)體垂直結(jié)構(gòu)的線條粗糙度，進(jìn)而提高具有該半導(dǎo)體垂直結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件的性能，適用于微米級(jí)或納米級(jí)的半導(dǎo)體垂直結(jié)構(gòu)的制造。