一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201810565371.2 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN110556299B 公開(kāi)（公告）日 2021-11-16
申請(qǐng)公布號(hào) CN110556299B 申請(qǐng)公布日 2021-11-16
分類(lèi)號(hào) H01L21/48（2006.01）I;H01L23/498（2006.01）I 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 牛剛 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 中芯國(guó)際集成電路制造（天津）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京睿派知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 劉鋒
地址 300000天津市西青區(qū)經(jīng)濟(jì)開(kāi)發(fā)區(qū)興華道19號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請(qǐng)公開(kāi)了一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法，所述方法包括：提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底包括金屬間介電層以及位于所述金屬間介電層上的上層金屬電極；形成鈍化層，所述鈍化層覆蓋所述上層金屬電極和所述金屬間介電層；在鈍化層表面上相鄰的上層金屬電極之間的位置刻蝕形成凹槽；形成露出上層金屬電極的通孔；在所述通孔中形成金屬柱。通過(guò)所述方法，在鈍化層表面形成凹槽結(jié)構(gòu)，所述凹槽結(jié)構(gòu)延長(zhǎng)了金屬原子的擴(kuò)散路徑，從而避免封裝過(guò)程中金屬柱中的金屬原子擴(kuò)散導(dǎo)致短路的現(xiàn)象，保證了封裝的可靠性，提高了產(chǎn)品的良率。