半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010815465.8 申請日 -
公開（公告）號 CN114078747A 公開（公告）日 2022-02-22
申請公布號 CN114078747A 申請公布日 2022-02-22
分類號 H01L21/768（2006.01）I;H01L23/522（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李艷楠;張艷紅;陳秋穎;陳亮;楊林宏 申請（專利權(quán)）人 中芯國際集成電路制造（天津）有限公司
代理機構(gòu) 北京市一法律師事務(wù)所 代理人 劉榮娟
地址 300385天津市西青區(qū)興華道19號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請?zhí)峁┌雽?dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法，所述結(jié)構(gòu)包括：半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底表面形成有第一金屬層；第一介質(zhì)層以及貫穿所述第一介質(zhì)層且連接所述第一金屬層的第一層間連接結(jié)構(gòu)，所述第一介質(zhì)層位于所述第一金屬層表面；以此類推，第n介質(zhì)層以及貫穿所述第n介質(zhì)層且直接連接第m層間連接結(jié)構(gòu)的第n層間連接結(jié)構(gòu)，所述第n介質(zhì)層位于第m介質(zhì)層表面，其中，所述m為n?1，所述n為大于等于二的整數(shù)。所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中，相鄰兩層層間連接結(jié)構(gòu)直接連接在一起，不需要使用額外的金屬層來電連接，一方面減少相關(guān)材料的使用，可以降低成本，減少了金屬層的形成，簡化了工藝，另一方面可提高層間介質(zhì)層的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性，從提高器件可靠性。