硅通孔結(jié)構(gòu)的形成方法、CIS晶圓的形成方法及CIS晶圓
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201810962910.6 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN110858597B | 公開(kāi)（公告）日 | 2022-03-11 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN110858597B | 申請(qǐng)公布日 | 2022-03-11 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01L27/146（2006.01）I;H01L21/768（2006.01）I | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 尹卓;李建 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 中芯國(guó)際集成電路制造（天津）有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 屈蘅 |
| 地址 | 300385天津市西青區(qū)西青經(jīng)濟(jì)開(kāi)發(fā)區(qū)興華道19號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明提供了一種硅通孔結(jié)構(gòu)的形成方法、CIS晶圓的形成方法及CIS晶圓，包括提供晶圓鍵合結(jié)構(gòu)，所述像素晶圓中的第一層疊層中形成有第一頂層金屬層及第一阻擋層，所述第一阻擋層覆蓋部分所述第一頂層金屬層，當(dāng)刻蝕所述晶圓鍵合結(jié)構(gòu)以形成硅通孔時(shí)，所述像素晶圓的第一阻擋層可以保護(hù)其頂層金屬不被刻蝕，刻蝕停止在暴露出所述邏輯晶圓的第二頂層金屬層，所以，形成的開(kāi)口可以同時(shí)暴露出第一頂層金屬層和第二頂層金屬層。本發(fā)明提供的硅通孔結(jié)構(gòu)的形成方法及CIS晶圓的形成方法可以通過(guò)一步刻蝕形成開(kāi)口，簡(jiǎn)化了工藝，節(jié)約了光罩，并且降低了制造的成本和時(shí)間。 |
