一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202010748146.X 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN114068391A 公開（公告）日 2022-02-18
申請(qǐng)公布號(hào) CN114068391A 申請(qǐng)公布日 2022-02-18
分類號(hào) H01L21/768（2006.01）I;H01L21/67（2006.01）I;H01L21/683（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 陳雷;劉偉杰;李艷楠;張艷紅 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 中芯國(guó)際集成電路制造（天津）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京市一法律師事務(wù)所 代理人 劉榮娟
地址 300385天津市西青區(qū)興華道19號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請(qǐng)?zhí)峁┌雽?dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，所述方法包括：提供晶圓，所述晶圓包括第一表面和第二表面；使所述晶圓的第二表面與反應(yīng)腔中的加熱器接觸；通過所述加熱器中的真空管路抽氣，使所述晶圓的第二表面和所述加熱器之間的氣壓小于100毫托；向所述反應(yīng)腔中通入惰性氣體使所述反應(yīng)腔中的氣壓為30托至90托。本申請(qǐng)所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，在晶圓進(jìn)入反應(yīng)腔中放置在加熱器上后，迅速使用加熱器的真空管路吸附住晶圓，并在晶圓正面加上一定的壓力，阻止晶圓由于熱應(yīng)力引起的形變，達(dá)到均勻加熱晶圓進(jìn)而均勻填充晶圓中心和邊緣通孔的目的。