半導(dǎo)體器件及其制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201710344093.3 申請日 -
公開（公告）號 CN108878529B 公開（公告）日 2021-11-26
申請公布號 CN108878529B 申請公布日 2021-11-26
分類號 H01L29/78（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I;H01L29/417（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張冬平;王智東;潘亞武 申請（專利權(quán)）人 中芯國際集成電路制造（天津）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 屈蘅;李時云
地址 300385天津市西青區(qū)中國天津市西青經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)興華道19號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件及其制造方法，通過在第一側(cè)墻的側(cè)壁以及第一側(cè)墻底部的半導(dǎo)體襯底的部分側(cè)壁上形成第二側(cè)墻，從而可以避免金屬柵極疊層結(jié)構(gòu)到源/漏區(qū)間的缺陷穿通問題，避免柵極到源/漏區(qū)的漏電，通過第二側(cè)墻和第一側(cè)墻的厚度疊加，可以增加?xùn)艠O到源/漏區(qū)之間的絕緣層厚度，避免柵極誘導(dǎo)漏電，提高器件可靠性。