LDMOS晶體管及其形成方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201710598075.8 申請日 -
公開（公告）號 CN109285780B 公開（公告）日 2022-02-01
申請公布號 CN109285780B 申請公布日 2022-02-01
分類號 H01L21/336（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L29/10（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 趙猛 申請（專利權(quán)）人 中芯國際集成電路制造（天津）有限公司
代理機構(gòu) 上海德禾翰通律師事務所 代理人 侯莉
地址 300385天津市西青區(qū)興華道19號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種LDMOS晶體管的形成方法，包括：提供半導體襯底，所述半導體襯底內(nèi)形成有隔離結(jié)構(gòu)；在所述半導體襯底中形成漂移區(qū)，所述漂移區(qū)包圍所述隔離結(jié)構(gòu)，所述漂移區(qū)摻雜有第一類型的離子；在所述漂移區(qū)及所述半導體襯底上方形成柵極結(jié)構(gòu)，所述柵極結(jié)構(gòu)覆蓋部分所述漂移區(qū)、隔離結(jié)構(gòu)；向所述漂移區(qū)表面進行離子注入，所述離子注入包含注入中和離子，所述中和離子的摻雜類型與所述第一類型的離子摻雜類型相反；在柵極結(jié)構(gòu)的兩側(cè)分別形成漏區(qū)及源區(qū)。