大功率晶閘管方形芯片
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN200420062244.4 | 申請(qǐng)日 | - |
公開(公告)號(hào) | CN2742581Y | 公開(公告)日 | 2005-11-23 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN2742581Y | 申請(qǐng)公布日 | 2005-11-23 |
分類號(hào) | H01L29/74 | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 徐愛民;朱法揚(yáng);張海燕 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 揚(yáng)州晶來電子有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 揚(yáng)州蘇中專利事務(wù)所 | 代理人 | 胡定華 |
地址 | 225003江蘇省揚(yáng)州市太平路269號(hào) | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本實(shí)用新型涉及晶閘管技術(shù)領(lǐng)域的一種大功率晶閘管方形芯片,是對(duì)現(xiàn)有晶閘管方形芯片結(jié)構(gòu)的改進(jìn),其主要特點(diǎn)是在陰極發(fā)射區(qū)的周圍設(shè)置短路環(huán),在短基區(qū)的一角處設(shè)置邊緣門極區(qū),將陰極短路點(diǎn)呈正三角形分布,其第一排與相鄰的門極區(qū)的長(zhǎng)邊平行,陰極發(fā)射區(qū)和陽(yáng)極區(qū)的外側(cè)面及邊緣門極區(qū)均設(shè)置有多層金屬組成的金屬層,本實(shí)用新型提高了器件的開通擴(kuò)展速度,提高了高溫特性和dv/dt特性,正向壓降小,工藝簡(jiǎn)單,適合20-150A晶閘管的規(guī)?;a(chǎn)。 |
