一種低電阻率低溫太陽能銀漿及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202210065061.0 申請日 -
公開（公告）號 CN114464342A 公開（公告）日 2022-05-10
申請公布號 CN114464342A 申請公布日 2022-05-10
分類號 H01B1/22（2006.01）I;H01B13/00（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 金余;董飛龍;李亮 申請（專利權(quán)）人 無錫晶睿光電新材料有限公司
代理機構(gòu) 無錫華源專利商標事務所（普通合伙） 代理人 -
地址 214028江蘇省無錫市泰山路2號國際科技合作園B樓6F1座
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種低電阻率低溫太陽能銀漿及其制備方法。本發(fā)明所述銀漿的原料包括如下組分：銀粉87～93％，樹脂2～5％，稀釋劑1～2％，固化劑0.5～2％，觸變劑0.01～1％，催化劑0.01～1％，有機溶劑2～5％。本發(fā)明通過不同形貌、不同尺寸規(guī)格、不同振實密度的銀粉的組合，配合其他助劑，將銀粉導電性能達到最優(yōu)化，通過空間的緊密堆積，提高了銀粉顆粒之間的接觸點，減少銀粉空隙，降低漿料電阻率和本征電阻。本發(fā)明制備的銀漿具有良好的穩(wěn)定性，具有低體積電阻率優(yōu)異的接觸電阻性能。